CXT5551 TR
型號(hào): CXT5551 TR
類別: IGBT陣列
封裝: TO-243AA
描述: Central Semiconductor CXT5551 TR雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 6.0V 600mA
品牌官網(wǎng): www.centralsemi.com
- 賣盤信息
- 常見問題
- 參數(shù)
-
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參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
封裝外殼
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TO-243AA
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系列
|
-
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不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值)
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200mV @ 5mA, 50mA
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躍遷頻率
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300MHz
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功率 - 最大值
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1.2W
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供應(yīng)商器件封裝
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SOT-89
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電流 - 集電極(Ic)(最大值)
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600mA
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
|
160V
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安裝類型
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Surface Mount
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電流 - 集電極截止(最大值)
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50nA (ICBO)
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不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
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80 @ 10mA, 5V
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Pd-功率耗散
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350mW
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直流電流增益hFE最大值
|
250at10mAat5V
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零件號(hào)別名
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CXT5551PBFREETR
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集電極—射極飽和電壓
|
300mV
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制造商
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CentralSemiconductor
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最小工作溫度
|
-65C
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最大直流電集電極電流
|
600mA
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商標(biāo)
|
CentralSemiconductor
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封裝
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Reel
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最大工作溫度
|
+150C
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安裝風(fēng)格
|
SMD/SMT
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集電極—基極電壓VCBO
|
75V
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系列
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CXT5
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子類別
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Transistors
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增益帶寬產(chǎn)品fT
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300MHz
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產(chǎn)品種類
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雙極晶體管-雙極結(jié)型晶體管(BJT)
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集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO
|
160V
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直流集電極/BaseGainhfeMin
|
80at10mAat5V
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工廠包裝數(shù)量
|
1000
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晶體管極性
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NPN
|
發(fā)射極-基極電壓VEBO
|
6V
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